• 《中国南北方山区典型流域复杂水环境模拟研究》张静,宋永雨,赖月群,宫辉力,孟浩斌作|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《中国南北方山区典型流域复杂水环境模拟研究》【作者】张静,宋永雨,赖月群,宫辉力,孟浩斌作【页数】308【出版社】中国环境出版集团,2022.06【ISBN号】978-7-5111-5175-9【价格】80.00【分类】山区-水环境-环境模拟-研究-中国【参考文献】张静,宋永雨,赖月群,宫辉力,孟浩斌作.中国南北方山区典型流域复杂水环境模拟研究.中国环境出版集团,2022.06.图书封面:《中国南北方山区典型流域复杂水环境模拟研究》内容提要:中国南北地域跨度较大,不同维度的山区生态水文系统有着显著的差异性,气候变化下南北典型山区流域的复杂水环境模拟研究对于更深入地了解中国的山区水文水质过程有着重要的意义。本书选取了中国南方占据长江流域面积最大的嘉陵江流域、典型喀斯特地形的漓江流域以及北方非点源污染较为严重的密云水库流域共3个山区流域作为研究区,在收集每个流域的水文水质、气候及下垫面特征等数据的基础上,分别利用SWAT、MIKESHE和HSPF生态水文模型进行水环境模拟,在气候变化环境下对中国南北方山区流域生态水文模型结果之间的差异及流域复杂水环境进行深入且全面的研究。主要内容包括分析多个流域的气候及下垫面属性特点;从水文水质过程拟合度、模型的不确定性和参数敏感性等方面评价3种生态水文模型在每个流域的表现;基于模拟结果对比中国南北方山区流域在径流特征和水质等方面的差异;评估复杂水环境下的最佳管理措施;讨论不同流域的未来气候变化趋势及气候变化下的水文响应过程。本书可供水文水资源、工程水文学、气候变化以及相关专业研究领域的科学技术人员、高等院校教师及研究生参考使用。...

    2024-01-04 水环境流域综合模型 水环境流域规划500字

  • 《温度场的数值模拟》刘高璜|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《温度场的数值模拟》【作者】刘高璜【页数】147【出版社】重庆:重庆大学出版社,1990.01【ISBN号】7-5624-0282-5【价格】RMB2.07【分类】温度场-数值模拟【参考文献】刘高璜.温度场的数值模拟.重庆:重庆大学出版社,1990.01.《温度场的数值模拟》内容提要:...

    2023-12-27

  • 流体电路增加了用于控制软机器人的模拟选项

    流体电路增加了用于控制软机器人的模拟选项技术摘要软机器人是新兴机器人技术的激动人心的领域,它有潜力改变我们与世界互动的方式。软机器人由柔性材料制成,能够变形并适应其周围的环境,这使得它们非常适合执行需要灵巧性和控制的各种任务。然而,软机器人传统上很难控制,因为它们通常需要复杂的计算和算法。这使得它们在许多应用中的使用非常具有挑战性,尤其是那些需要快速反应或精确运动的应用。最近,研究人员发现了一种新的方法来控制软机器人,这种方法可以极大地简化软机器人的设计和控制。这种方法被称为“流体电路”,它利用流体来控制软机器人的运动。流体电路是一种由微流体通道和阀门组成的小型网络。通过控制通道和阀门的打开和关闭,可以控制流体的流动,从而控制软机器人的运动。流体电路具有许多优点。首先,它们非常简单,易于设计和制造。其次,它们非常高效,因为它们不需要任何昂贵的或复杂的设备。第三,它们非常灵活,可以用于控制各种类型的软机器人。流体电路技术有望极大地改变软机器人的领域。它使软机器人更容易设计和控制,从而为这些令人兴奋的新技术开辟了新的应用领域。技术细节流体电路由微流体通道和阀门组成。微流体通道是微小的通道,通常由PDMS(聚二甲基硅氧烷)或其他柔性材料制成。阀门是用于控制流体流动的装置,通常由电磁铁或压电致动器制成。流体电路的工作原理是通过控制通道和阀门的打开和关闭来控制流体的流动。当通道打开时,流体可以在通道中自由流动。当通道关闭时,流体无法流动。通过控制通道和阀门的打开和关闭,可以控制流体的流动,从而控制软机器人的运动。流体电路具有许多优点。首先,它们非常简单,易于设计和制造。其次,它们非常高效,因为它们不需要任何昂贵的或复杂的设备。第三,它们非常灵活,可以用于控制各种类型的软机器人。流体电路技术有望极大地改变软机器人的领域。它使软机器人更容易设计和控制,从而为这些令人兴奋的新技术开辟了新的应用领域。应用流体电路技术有广泛的应用领域,包括:**医疗机器人:**流体电路可用于控制微型医疗机器人,这些机器人可以进入人体的难以到达的地方。**可穿戴机器人:**流体电路可用于控制可穿戴机器人,这些机器人可以帮助人们进行行走、跑步和其他活动。**工业机器人:**流体电路可用于控制工业机器人,这些机器人可以执行各种任务,如组装、包装和搬运。**军用机器人:**流体电路可用于控制军用机器人,这些机器人可以执行任务,如侦察、监视和作战。流体电路技术有望极大地改变机器人技术领域。它为设计和控制软机器人提供了一种新的方法,从而为这些令人兴奋的新技术开辟了新的应用领域。...

    2023-12-21 流体机器人 流体机器人电影

  • 《库岸滑坡涌浪数值模拟方法》毛佳,赵兰浩作|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《库岸滑坡涌浪数值模拟方法》【作者】毛佳,赵兰浩作【页数】183【出版社】南京:河海大学出版社,2020.12【ISBN号】978-7-5630-6590-5【分类】水库-滑坡-涌浪-数值模拟-研究【参考文献】毛佳,赵兰浩作.库岸滑坡涌浪数值模拟方法.南京:河海大学出版社,2020.12.图书封面:《库岸滑坡涌浪数值模拟方法》内容提要:本书以库岸边坡失稳运动及滑坡涌浪为研究对象,在中国博士后科学基金(2019M651677)、国家重点研发计划(2018YFC0406705)的资助下,建立了模拟滑坡体运动、滑坡体入水产生涌浪和涌浪传播等连续过程的数值分析方法。本书首先介绍了瓦伊昂、柘溪、三峡等典型滑坡涌浪案例,回顾了滑坡涌浪问题的国内外研究进展。此后,围绕滑坡涌浪数值模拟方法,介绍了滑坡体运动过程数值模拟方法,其中包括离散单元法、势函数离散单元法,并提出了切向接触力计算方法。针对涌浪产生过程的数值模拟,首先提出了多相介质界面捕捉的LevelSet方法,解决了滑坡涌浪数值模拟过程中的多相介质界面相互作用的关键难题,然后根据滑坡体组成和物理力学性质的不同,分别对土质和岩质两类库岸边坡开展了研究,提出了土质、岩质边坡滑坡运动及涌浪产生的数值模拟方法,最后研究了涌浪传播过程的数值模拟方法。...

    2023-12-21 滑坡涌浪数值模拟 涌浪如何形成

  • 《高等学校英语应用能力考试 A&B级 真题+模拟》李丽春,李买燕,李睿主编|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《高等学校英语应用能力考试AamB级真题+模拟》【作者】李丽春,李买燕,李睿主编【页数】210【出版社】北京:北京理工大学出版社,2017.03【ISBN号】978-7-5682-3799-4【价格】32.00【分类】英语水平考试-高等职业教育-习题集-【参考文献】李丽春,李买燕,李睿主编.高等学校英语应用能力考试AamB级真题+模拟.北京:北京理工大学出版社,2017.03.图书封面:《高等学校英语应用能力考试AamB级真题+模拟》内容提要:本书分别收录了4套最新的A级和B级实考试题及其录音原声,使考生能够了解有关考试的最新、最准确的信息和动向。...

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  • 《高等学校英语应用能力考试(A&B级)真题+模拟》段利莹,杨佳主编|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《高等学校英语应用能力考试(AamB级)真题+模拟》【作者】段利莹,杨佳主编【页数】205【出版社】北京:北京理工大学出版社,2019.08【ISBN号】978-7-5682-7510-1【分类】大学英语水平考试-高等职业教育-习题集【参考文献】段利莹,杨佳主编.高等学校英语应用能力考试(AamB级)真题+模拟.北京:北京理工大学出版社,2019.08.图书封面:《高等学校英语应用能力考试(AamB级)真题+模拟》内容提要:本书由8套真题和8套模拟题构成。真题部分为历年最新真题,模拟题部分难易适中。所有试题均提供参考答案。听力部分附录音原文。通过学习本书能提高考生的AB级通过率并掌握所学的基础知识。本书真题部分由段利莹编写,模拟题部分由杨佳编写。...

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  • 《骄子之路 单元集训》高中各科试卷 三年高考,两年模拟

  • 全国高考日语第三轮模拟试题(全国高考日)

    1、2017年全国高考时间如下:2017年6月7日上午9:00至11:30语文,下午3:00至5:00数学一(文学)/数学二(科学),2017年6月份8日上午9:00~11:30综合一(文学、科学),6月份8月8日下午3:00~5:00外语。...

    2023-05-31 文学 语文 的关系 文学语文手抄报三年级

  • 《主管护师资格考试 机考点拨》智杰教育护理产品研究院编|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《主管护师资格考试机考点拨》【作者】智杰教育护理产品研究院编【页数】933【出版社】成都:四川科学技术出版社,2021.08【ISBN号】978-7-5727-0235-8【价格】198.00【分类】护理学-资格考试-自学参考资料【参考文献】智杰教育护理产品研究院编.主管护师资格考试机考点拨.成都:四川科学技术出版社,2021.08.图书封面:图书目录:《主管护师资格考试机考点拨》内容提要:本书主要为备考护理学中级职称的人群提供参考。本书共包含7篇内容,依据最新考试大纲设计章节。其中的亮点主要有表格总结,记忆诀窍,相似考点集结,图文并茂。这些亮点完全从学生考试的需求出发,不仅增加了趣味性,而且提高了复习效率。该教材共包含内科护理学、外科护理学、妇科护理学、儿科护理学、护理健康教育学、医院感染护理学、护理管理学等内容。均符合报考各个亚专业的同学使用。同时包含常考疾病的发病机制、临床表现、辅助检查、护理措施、健康教育方面的内容。符合考试所要求的考点和知识点。《主管护师资格考试机考点拨》内容试读第一篇内科护理学第-篇内科护理学第一章呼吸系统疾病病人的护理第一节概述呼吸系统的结构与功能(2018①年考)(一)呼吸道以环状软骨为界将呼吸道分为上、下呼吸道(图1-1-1)。腔口腔气管右主支气管左主支气管左肺图1-1-1呼吸系统的解剖结构1,上呼吸道、由鼻、咽、喉构成。(2017①年考)环甲膜在声带下方,是喉梗阻时进行穿刺的部位2.下呼吸道起自气管,止于呼吸性细支气管末端,气管逐级分支到肺泡共23级,构成气管一支气管树状结构。黏液一纤毛运输系统和咳嗽反射是下呼吸道的重要防御机制。右支气管较左支气管粗、短而陡直,因此异物容易进入右肺。主支气管左和右,各有特点要记住。左支细长右粗短,异物坠落多入右。3.肺和肺泡左右肺位于纵隔两侧,上端为肺尖,下端为肺底。肺由数亿个肺泡构成,肺泡上皮细胞有两型。I型细胞:与邻近的肺毛细血管内皮细胞构成气血屏障(呼吸膜);Ⅱ型细胞:分泌表面活性物质,在肺88主管护师资格考试机考点拨泡表面形成一薄薄的液膜,其功能为降低肺泡表面张力,维持肺泡稳定性,防止肺泡萎缩。肺内气体交换主要在肺泡,通过气血屏障进行。(二)胸膜和胸膜腔胸膜腔是由胸膜(脏层和壁层)围成的潜在的密闭腔,内有少量液体起润滑作用。胸腔内压是指胸膜腔内的压力,呈负压状态。胸内负压的生理意义是指肺维持扩张状态,同时促进静脉血及淋巴液的回流。(三)肺的血液循环肺有肺循环、支气管循环双重血液供应。◆肺循环:由肺动脉一肺毛细血管一肺静脉组成,称为功能血管,进行气体交换。◆支气管循环:由支气管动脉和静脉构成,称为营养血管。(四)肺的通气和换气功能1.肺通气通气使气体有效地进入或排出肺泡。临床上常用下列指标来衡量肺的通气功能。潮气量():是指呼吸时,每次吸入或呼出呼吸器官的气量。正常成人潮气量为400~500m1。☑每分通气量(mV或):是指每分钟吸入或呼出呼吸器官的总气量,m仁潮气量()×呼吸频率(f),正常人每分钟通气量为6~8L。国肺泡通气量():指在吸气时每分钟进入肺泡进行气体交换的气量,又称有效通气量。(-)×F(2019①年考)。生理无效腔()是肺泡无效腔与解剖无效腔之和,肺泡无效腔是指每次呼吸进出肺泡但未进行交换的气量,正常人可忽略不计,故临床上常以解剖无效腔表示为生理无效腔量。最大通气量:是以最快的速度和尽可能深的幅度进行呼吸时所测得的每分通气量,能反映机体的通气贮备能力,其大小取决于胸廓的完整性和呼吸肌的力量、肺的弹性和呼吸道的阻力,其中以呼吸道阻力影响最大,若比预计值降低20%以上为不正常。2.肺换气指肺泡与血液之间的气体交换。(五)呼吸运动的调节1.呼吸中枢呼吸中枢在延髓,吸气和呼气两组神经元交替兴奋形成呼吸周期2.呼吸运动的化学调节是指动脉血或脑脊液中02、C0和H对呼吸的调节作用。面0:正常情况下,外周化学感受器对缺氧不敏感,只有当PaC0,lt60mmHg°时,才对外周化学感受器产生刺激作用使呼吸加深加快。回C0:C0,是维持和调节呼吸运动的重要化学因素,其作用是通过中枢和外周化学感受器,当C0浓度缓慢持续升高时,C0,对中枢化学感受器的兴奋作用逐渐减弱,甚至处于抑制状态,此时呼吸运动的维持主要靠缺氧对外周化学感受器的刺激作用,若给予吸入较高浓度的0,随缺氧刺激的消除,通气量降低,使C0,潴留加重。二、呼吸系统疾病病人的症状评估1.咳嗽与咳痰咳嗽是呼吸系统疾病最常见的症状之一,咳嗽无痰或痰量甚少,称为干性咳嗽:有痰则称湿性咳嗽,也称咳痰,痰可分为黏液性、浆液性、黏液脓性、脓性、血性等。2.肺源性呼吸困难肺源性呼吸困难是由呼吸系统疾病引起肺通气和(或)肺换气功能障碍,导致缺氧①1mmHg=0.133kP3.88第一篇内科护理学(2017③年考)和(或)C0,猪留。临床上分三种类型(表1-1-1)。表1-1-1呼吸困难类型类型定义常见病吸气性呼吸困难吸气困难,吸气时间延长,“三凹征”喉头水肿、痉挛、气管异物呼气性呼吸困难呼气费力,呼气时间延长支气管哮喘、慢性阻塞性肺疾病混合性呼吸困难吸气与呼气均费力肺炎3.咯血咯血是指喉以下呼吸道和肺部病变出血经口咳出者(2019③年考)。临床上呼吸系统疾病引起的咯血常见于:支气管扩张、支气管肺癌、肺结核、肺炎、慢性支气管炎、肺脓肿等。青壮年咯血多见于肺结核、支气管扩张症:40岁以上有长期大量吸烟史者,要高度警惕支气管肺癌。第二节急性呼吸道感染、急性上呼吸道感染急性上呼吸道感染是由病毒或细菌引起的局限于鼻腔和(或)咽喉部的急性炎症。(一)病因及发病机制本病70%~一80%是由病毒(2018①年考)引起的,细菌性感染仅占小部分。(二)临床表现临床上常见的急性上呼吸道感染有以下几型:1.普通感冒潜伏期短(13天),起病急,初期有咽干、喉痒,继而出现打喷嚏、鼻塞、流涕,开始为清水样,2~3天后变稠,可伴咽痛,有时由于耳咽管炎使听力减退,可有流泪、呼吸不畅、声嘶、干咳或咳少量黏液。全身症状轻且短暂,轻度畏寒或头痛,食欲减退,便秘或腹泻,鼻和咽部黏膜充血和水肿。如无并发症,一般5~7天痊愈。2.病毒性咽炎、喉炎和支气管炎根据病毒侵犯的部位不同分为:急性病毒性咽炎:临床特征为咽部发痒和烧灼感,轻度疼痛。体检咽部明显充血、水肿,颌下淋巴结肿大,可有触痛,腺病毒感染时可伴有眼结膜炎。急性病毒性喉炎:以声音嘶哑、说话困难、咳嗽时疼痛为特征,常有发热、咽炎和咳嗽。体检可见喉部水肿、充血,局部淋巴结轻度肿大,伴触痛,可闻喘鸣音。国急性病毒性支气管炎:临床表现为咳嗽、无痰或有少量黏痰,伴有发热、乏力、声嘶。体检可闻干、湿啰音。3.细菌性咽、扁桃体炎多由溶血性链球菌引起。起病急,有明显咽痛、畏寒、发热,体温可达39℃以上。体检咽部明显充血,扁桃体肿大、充血,表面有黄色点状渗出物,颌下淋巴结肿大,有压痛。(三)护理措施1.休息适当休息,避免过度疲劳。2.隔离注意呼吸道的隔离,防止交叉感染,病室保持空气流通。⑧83主管护师资格考试机考点拨3.对症护理督促病人多饮水,维持水电解质平衡。高热时给予降温并做好口腔护理,咽痛、声嘶时给予雾化吸入处理。4.警惕并发症如有耳痛、耳鸣、听力减退、外耳道流脓等提示有中耳炎发生。5.药物护理病毒感染可用利巴韦林和奥司他韦等。6.健康教育积极开展体育活动,增强机体抵抗能力。避免受凉、淋雨、过度疲劳等诱发因素,流行季节避免到公共场所,注意居住、工作环境的通风换气。二、急性气管支气管炎急性气管支气管炎是由病毒、细菌感染,物理、化学刺激或过敏所引起的气管、支气管黏膜的广泛急性炎症。(一)病因及发病机制1.感染病毒或细菌感染是本病最常见的病因,近年来,衣原体、支原体感染也有所增加。2.过敏反应花粉、有机粉尘、真菌孢子的吸入等为常见的致敏原:钩虫、蛔虫的幼虫在肺内移行,以及对细菌蛋白质的过敏均可引起本病。3.理化因素过冷的空气、粉尘、刺激性气体或烟雾的吸入,都可引起本病。感染是最主要的病因,而过度劳累、受凉是常见诱因。(二)临床表现1.呼吸道症状常先有急性上呼吸道症状,当炎症波及气管、支气管黏膜,出现咳嗽、咳痰。开始为频繁干咳,伴胸骨不适,2一3天后,痰由黏液性转为黏液脓性:偶有痰中带血。如伴有支气管痉挛,可有气急和喘鸣。2.全身症状可有发热,全身不适,体温多于3~5天恢复正常,咳嗽、咳痰可延迟2~3周才消失。3.其他体检肺部有散在干、湿啰音;胸部X线检查正常或仅有肺纹理增粗;细菌感染时,白细胞计数增高。痰涂片或培养可发现致病菌。(三)辅助检查病毒感染时,血白细胞计数多正常;细菌感染较重时,白细胞总数和中性粒细胞数可升高。痰涂片或培养可发现致病菌。X线胸片检查多无异常,或有肺纹理增粗。(四)治疗原则治疗原则是止咳、祛痰、平喘和控制感染。(五)护理措施1.环境提供整洁、舒适、阳光充足的环境。维持适宜的室温(18~22℃)和湿度(⑤0%~60%),以充分发挥呼吸道的自然防疫功能。2.饮食护理给予高蛋白、高维生素、高热量的饮食。鼓励病人多饮水,每天保证饮水在1500m1以上,有利于痰液的稀释和排出。3.避免诱因注意保暖,避免尘埃、烟雾等不良刺激:适当休息,避免疲劳,如有发热,应卧床休息。4.用药护理按医嘱正确、及时给予祛痰、止咳、解痉、平喘药物及抗生素,注意观察药物疗效和不良反应。5.病情观察注意观察体温的变化及咳嗽、咳痰情况,注意有无胸闷、气促等症状,详细记录痰液的色、量、质及气味。指导病人正确留取痰液标本并及时送检,为诊断与治疗提供可靠的依据。89第一篇内科护理学6.促进有效排痰指导有效咳嗽排痰。痰液黏稠不易咳出时,可按医嘱予以雾化吸入。7.健康指导。第三节慢性支气管炎、慢性阻塞性肺气肿一、慢性支气管炎慢性支气管炎是指气管、支气管黏膜及其周围组织的慢性非特异性炎症。(一)病因及发病机制慢性支气管炎的发生是在机体抵抗力和呼吸道防御功能减退时,呼吸道反复感染和理化因素刺激,引起支气管黏膜上皮细胞变性的结果。1.大气污染吸入大气中的刺激性烟雾和气体,为细菌侵入创造条件。2.吸烟吸烟和慢性支气管炎的发生关系密切。3.感染感染是本病急性发作的重要因素。4.理化因素刺激性烟雾、粉尘、工业废气及室内污染的空气慢性刺激常为慢性支气管炎的发病原因之一。5.气候寒冷气候寒冷亦是慢性支气管炎发病的原因和诱因。6.过敏因素尤其是喘息型病人,常有过敏史,过敏原有尘埃、尘螨、细菌、真菌、花粉及化学气体等。7.内在因素内在因素包括:①自主神经功能紊乱(2018①年考):②呼吸道局部防御功能降低:③遗传因素。(二)临床表现本病临床特征为慢性反复发作的咳嗽、咳痰或伴喘息(2018③年考),病情常缓慢进展,可并发慢性阻塞性肺气肿和慢性肺源性心脏病。1.症状起病缓慢,病程较长,咳嗽、咳痰、喘息为主要症状。回咳嗽、咳痰:支气管黏膜充血、水肿、异物刺激,分泌物积聚于气管内,引起咳嗽。痰液多为白色黏痰,细菌感染时呈脓痰,若咳嗽剧烈使支气管黏膜微血管破裂则出现血痰。痰量以夜间或清晨较多。☑喘息:由支气管痉挛、支气管黏膜水肿、管壁肥厚和痰液阻塞引起。2.体征早期多无异常体征,急性发作期可在肺底闻及散在的干、湿啰音,咳嗽、咳痰后啰音可消失。喘息型病人呼气延长,伴哮鸣音。3.分型慢性支气管炎分为两型。①单纯型:仅有咳嗽、咳痰;②喘息型:除咳嗽、咳痰外还有喘息和哮鸣音,哮鸣音在阵咳时加刷,睡眠时明显。4.分期根据病情分为:①急性发作期,指1周内咳、痰、喘症状中任何一项明显加剧:②慢性迁延期,指咳、痰、喘症状迁延1个月以上者:③临床缓解期,经治疗或自然缓解,症状基本消失或偶有轻微咳嗽和少量痰液,保持2个月以上者。(三)辅助检查1.血液检查、慢性支气管炎急性发作期,白细胞总数及中性粒细胞比例增多。2.痰液检查痰培养可了解致病菌种类指导治疗。3.X线检查肺纹理增多及紊乱。5主管护师资格考试机考点拨(四)治疗原则以控制感染为主,适当应用祛痰、镇咳、解痉和平喘药物。(五)护理措施1.病情观察详细观察病人咳嗽、咳痰情况,如痰量及颜色等,及时正确采集痰标本送检以帮助诊断,并为治疗提供依据。2.协助病人排痰对年老体弱及卧床病人要协助其拍背翻身,嘱其深呼吸。痰液黏稠时可雾化吸入。3.协助治疗急性发作期要保证及时、准确地应用抗生素及平喘祛痰药。4.饮食护理给予高蛋白、高维生素清淡食物,保证充足的水分摄入,以利痰液排出。5.找出发病诱因如吸烟者要劝其戒烟:上呼吸道原发病如鼻窦炎等易诱发慢性支气管炎急性发作,要首先治疗原发病。6.健康指导。二、慢性阻塞性肺气肿慢性阻塞性肺气肿系指终末支气管远端气腔的扩张、过度充气,肺组织弹性回缩力减低。(一)病因及发病机制最常见的病因是慢性支气管炎(2018①年考),其次是支气管哮喘、支气管扩张、肺尘埃沉着症、肺纤维化。吸烟、空气污染、感染等引起慢性支气管炎的因素均可引起肺气肿。(二)临床表现1.症状回呼吸困难:早期仅在劳动时出现,以后逐渐加重,轻度活动,甚至休息时也出现明显的呼吸困难,感染时呼吸困难加重。☑咳嗽、咳痰:由慢性支气管炎引起的肺气肿,咳声低沉无力,痰量增加,反复咳脓痰。国呼吸衰竭。2.体征早期仅有慢性支气管炎体征。典型肺气肿病人的胸廓呈桶状;呼吸运动减弱,两侧语颤减低,叩诊过清音(2017③年考),肺下界及肝浊音界下移,心浊音界缩小,肺底移动度减少,两肺肺泡呼吸音减弱,呼气延长,有干、湿啰音。病人呼吸费力,两肩高耸,辅助呼吸肌参与呼吸。3.并发症自发性气胸:本病可并发自发性气胸,特别是有肺大疱的病人,当剧烈咳嗽或屏气时,肺泡内压力急剧增加,可致肺大疱或肺泡破裂发生自发性气胸。如病人呼吸困难突然加剧,并伴有明显的胸痛、发绀,听诊时患侧肺呼吸音弱或消失,叩诊时呈鼓音,应考虑气胸存在,通过X线检查,可明确诊断。②其他:慢性肺源性心脏病、呼吸衰竭等。(三)辅助检查1.肺功能检查肺功能检查是判断气流受限的主要客观指标,对慢性阻塞性肺疾病(COPD)的诊断、严重程度评价、疾病进展、预后及治疗反应等有重要意义。①第一秒用力呼气容积占用力肺活量的比值(FEV,/VC)是评价气流受限的一项敏感指标:第一秒用力呼···试读结束···...

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  • 模拟电子技术 第2版》韩党群;赵东波;刘勃妮|(epub+azw3+mobi+pdf)电子书下载

    图书名称:《模拟电子技术第2版》【作者】韩党群;赵东波;刘勃妮【页数】323【出版社】西安:西安电子科技大学出版社,2021.12【ISBN号】978-7-5606-6318-0【价格】52.00【分类】模拟电路-电子技术【参考文献】韩党群;赵东波;刘勃妮.模拟电子技术第2版.西安:西安电子科技大学出版社,2021.12.图书封面:图书目录:《模拟电子技术第2版》内容提要:本书主要介绍半导体及其模拟器件的应用电路、相关知识和分析理论。全书共10章,内容包括二极管、三极管及其放大电路、场效应管及其放大电路、放大器的频率响应、集成运算放大器、反馈、运算放大器应用、功率放大电路、信号的产生与变换电路及直流稳压电源等,每章含相关电路的Multiim仿真内容,全书配套了PPT、习题答案及仿真案例的电子资源,供读者扫码下载,以方便学习和应用。本书适合作为普通高等院校电子信息类专业模拟电子技术课程的教材使用,亦可作为各类电子竞赛的培训用书及相关专业工程技术人员的参考资料。《模拟电子技术第2版》内容试读第1章二极管K第1章二极管半导体材料的发现和使用是现代电子技术的基础。本章初步认识半导体材料及其性质,进而学习半导体材料构成的PN结的结构、特性及二极管的分类与应用。1.1害导体材料自然界的物质种类繁多,形态各异,特性差别巨大,这才造就了这个▣神奇多彩的世界。在电学领域人们非常关注各种物质的导电性,按照导半导体材料电性的不同可以把物质划分为导体、绝缘体和半导体。大部分金属物质如金、银、铜、铁等具有良好的导电性能,称为导体,导体的电阻率通常小于106Ω·m橡胶、塑料、玻璃等物质导电性能极差,几乎不导电,称为绝缘体,绝缘体的电阻率大于102·。导电性能介乎导体与绝缘体之间的物质如硅、锗、硒等称为半导体,其电阻率在106~108Ω·m之间。半导体材料对于电子技术的发展起着决定性的作用,现代电子技术以及以此为基础发展起来的计算机技术、通信技术、信息处理技术等都是建立在半导体材料的应用基础之上的。在长期研究和应用半导体材料的过程中,人们发现半导体材料具有许多独特的特性,主要体现在其热敏特性、光敏特性及掺杂特性上。所谓热敏特性是指半导体材料在不同的温度条件下其导电性能不同,比如热敏电阻就是利用半导体材料对温度变化的热敏特性制成的。所谓光敏特性是指半导体材料在受到不同波长、不同强度的光照射的情况下体现出的导电性能的变化,如光敏电阻、光敏二极管及光电池等都是利用半导体器件的光敏特性工作的。所谓掺杂特性是指在半导体材料中参入适量的杂质元素可以改变半导体材料的导电性能的特性,二极管、三极管及场效应等大量的半导体器件都是利用半导体材料的掺杂特性进行工作的。1.1.1本征半导体纯净且不含杂质的半导体材料称为本征半导体。这一类的物质从原子微观结构上看其典型特征为通常具有4个价电子,位于元素周期表的第V主族,如硅和锗等。硅原子的外围电子数为14,其对应的原子结构示意图如图1-1所示。硅原子聚合在一起形成硅的晶体,其结构如图1-2所示。在晶体中每个硅原子与相邻的4个硅原子之间通过共用最外层的价电子形成稳定的共价键结构,这样每个硅原子通过与相邻原子之间共用价电子形成8个最外层电子的稳定结构。本征半导体中的共价键结构并非牢不可破,受外界热能、光能的激发这些共价键可能断裂,即某些共价键中的电子受到激发挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在自由电子逃脱的位置留下一个“空位”,把这个空位称为空穴。每有一个共价键断裂,就对应形成一。1·模拟电子技a…》4+4图1-1硅原子结构图图1-2硅的晶体结构个自由电子和一个空穴,因此受外界能量激发而产生的自由电子和空穴总是成对出现的称为电子-空穴对。自由电子和空穴是半导体材料导电的载体,称为载流子。电子带负电,自由电子在本征半导体内部可以自由移动形成导电电流,称为电子电流;空穴带正电,空穴也可以导电,形成的导电电流称为空穴电流。空穴导电的原理可以这样理解:某个空穴临近的共价键断裂形成的自由电子被该空穴俘获,形成新的共价键,该空穴与自由电子复合消失,但是在新断裂的共价键的位置上又出现了一个新的空穴,可以把这个新出现的空穴看作是原来的空穴移动到了此处,空穴不断地被复合、移动、再复合、再移动就形成了空穴电流。温度的变化对本征半导体中自由电子和空穴的浓度有较大的影响。以硅晶体为例,在一273℃(即热力学温度0K)时本征半导体的共价键的价电子得不到足够的激发能量,保持稳定,此时的半导体内部没有可自由移动的载流子,不能导电,相当于绝缘体。随着温度的上升,半导体材料的导电能力增强,当温度达到室温25℃时,硅晶体中自由电子的浓度达到1.45×101°/cm3。图1-3所示为载流子形成过程示意图,图中不受共价键束缚的黑点表示自由电子,自由电子挣脱后的位置上形成空穴,用空心小圆圈表示。温度越高,本征半导体受热激发产生的载流子浓度越高,导电能力越强。虽然温度升高可以激发出大量的载流子,但是受热激发而断裂的共价键占整个共价键的比例微乎其微,因此本征半导体即使受热激发产生了大量的载流子,其导电能力仍与金属导体的导电性能相差甚远。电子空穴空穴电子图1-3载流子的形成·2第1章二极管SSAASSS1.1.2杂质半导体本征半导体在半导体元器件的生产过程中主要充当基础材料来使用,通常在本征半导体中掺入微量的“杂质”元素构成杂质半导体。根据掺杂元素的不同,杂质半导体又可以分为P型半导体和N型半导体。1.P型半导体在本征半导体中掺人微量的+3价元素,如硼、铟等,即可构成P型半导体,图1一4所示为在硅材料中掺入硼元素形成的P型杂质半导体材料的晶体结构。掺人的十3价硼原子在与硅原子形成共价键结构时,由于硼原子最外层只有3个价电子,因此每个硼原子只能与3个相邻的硅原子结合形成共价键结构,由于缺一个价电子不能与第4个相邻的硅原子形成共价键,这样就在该硼原子外部形成了一个空位,如果这个硼原子周围的硅晶体的共价键受激发断裂形成的自由电子被硼原子俘获,填补到该空位上就可以在硼原子外部形成4个完整的共价键结构了,此时的硼原子变成了一个不可移动的带负电的离子,而失去电子的位置上形成了一个带正电的空穴,此时整个半导体对外仍呈现电中性。参杂的浓度越高,杂质半导体材料中的空穴的浓度就越高。在P型半导体中由于掺杂提供了大量空位+4的空穴,因此空穴的浓度远高于因共价键激硼原子发断裂而产生的自由电子的浓度,因此把空+4+4+4穴称为多数载流子,简称多子,而自由电子空穴空穴的浓度仅与激发产生的自由电子的浓度有电子+3+4关,并且数量极少,称为少数载流子,简称少硼原子子。由于掺人的杂质元素可以接收自由电子形成共价键结构,因此把掺入的杂质元素称图1-4P型半导体为受主元素。2.N型半导体在本征半导体中掺人少量的十5价元素,如磷、砷等,即可构成N型半导体。图1-5所示为在硅材料中掺入少量磷元素形成的N型杂质半导体的晶体结构。掺入的十5价磷原子在与硅原子形成共价键结构时,由于磷电子原子最外层价电子数为5个,每个磷原子与+4+4周围的4个硅原子形成共价键后多出一个电磷原子子,该电子由于不受共价键的束缚成为自由+4电子,失掉一个电子的磷原子成为带正电的空穴电子离子,但是整个杂质半导体对外显示电中性。电子+4摻杂浓度越高,提供的自由电子的浓度就越一磷原子高,N型半导体材料的导电性就越好。每个杂质原子提供一个自由电子,称为施主元素。图1-5N型半导体·3·模拟电子技术…》在N型半导体中除了杂质提供的大量的自由电子外,杂质半导体本身也会由于激发而产生少量的电子一空穴对,因此自由电子的浓度远高于空穴的浓度,称为多子,而空穴称为少子。1.1.3化合物半导体由单一的硅、锗等第V主族元素构成的本征半导体也称为元素半导体,由几种元素化合而成的半导体材料称为化合物半导体,如砷化镓(GaA)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)及锑化铟(IS)等。化合物半导体材料由于在某些方面的突出特性而使其得到广泛的应用。化合物半导体材料也可以通过掺杂得到对应的杂质半导体。随着微电子技术的发展,砷化镓材料已是化合物半导体材料中应用最为广泛、相关技术最为成熟的材料。采用砷化镓材料制作的超高速集成电路和微波、毫米波单片集成电路是雷达电子对抗、高速计算机及卫星通信设备提高速度的关键电路,亦广泛用于蜂窝电话、数字个人通信、光纤通信以及航天系统等领域。采用砷化镓材料可制作半导体发光器件,如发光二极管(LED)和固体半导体激光器(LD),尤其是以砷化镓材料制作的各种发光二极管,具有耗电量小、寿命长、发热量少、反应速度快、体积小等许多优点,是当今半导体照明工程中不可或缺的一大材料分支,其相关产品已在室内及户外显示、LCD背光源、全彩显示屏、交通信号灯、汽车灯具等领域得到了广泛应用。1.2PN结及其特性通过半导体加工工艺把P型半导体与N型半导体紧密地结合在一▣起,在两种材料的接触面之间就形成了PN结。PN结及其特性1.2.1PN结的结构P型半导体掺人的杂质元素提供导电空穴,空穴带正电,每个带正电的空穴与提供该空穴的杂质离子一起对外显示电中性,如果杂质原子俘获了外来电子,复合掉了本身的空穴,则成为带负电的离子,则必然在其他位置由于失去电子而形成新的空穴,带负电的杂质离子与对应的空穴整体上对外仍然显示电中性。这里为研究问题简单起见,我们认为P型半导体材料中每个杂质原子提供了一个带正电的空穴,而自身成为带负电的离子。对于N型半导体而言,参入的杂质提供导电的自由电子,电子带负电,每个杂质原子可以提供一个自由电子,而自身由于失去一个电子而带正电,成为带正电荷的离子。掺杂形成的离子是不能移动的,但是它可以参与导电,真正起导电作用的是空穴和自由电子。当把两种不同的杂质半导体结合在一起时,在两种材料的接触面会出现什么现象呢?P型半导体内部的多子为空穴,浓度远远高于少子电子的浓度;N型半导体的多子为电子,其浓度远远高于少子空穴的浓度。当两种半导体材料结合在一起时,在接触面两侧,P型半导体中空穴的浓度远远高于N型半导体中空穴的浓度,而N型半导体中电子的浓度又远远高于P型半导体中电子的浓度。由于接触面两侧彼此的多子的浓度存在很大的差异,因此浓度高的一侧的多子会向浓度低的一侧移动,使接触面两侧的多子的浓度趋于平衡,4第1章二极管k把这种由于浓度差引起的载流子的移动称为扩散运动。图1-6所示为PN结形成开始阶段多子扩散示意图。由于扩散运动的存在,N型半导体一侧的多子电子扩散到P型半导体一侧,并与P型区的多子大量复合,P型区的空穴被复合以后只留下带负电的杂质离子;同理,P型区的空穴扩散到N型区并与N型区的电子大量复合,N型区的电子被复合掉后只留下带正电的杂质离子,把接触面两侧多子被复合后剩余的带电离子层称为耗尽层。由于杂质离子带电,将在接触面的两侧由带电离子形成一个区域电场,称为内电场,内电场的方向由N型区指向P型区。内电场的形成对多子的扩散具有阻碍作用。随着扩散的持续,两侧带电离子层越来越宽,内电场变得越来越强,电场对多子的扩散的阻碍作用越来越强,多子的扩散变得越来越困难,越来越弱。图1-7所示为PN结的结构示意图。P型耗尽层N型P型N型8ooo⊙⊕®@©oOOOO④⊕⊕④内电场E图1-6扩散运动图1-7PN结结构示意图其实,P型区和N型区都存在一定量的少子,少子的数量虽然少,但是双方的少子可以彼此移动到对方参与导电,把少子的这种移动称为漂移运动。在P型区和N型区接触之初,两边的多子浓度差大,多子扩散运动强烈,少子的漂移运动很弱,但是随着扩散的持续,内电场出现并不断加强,内电场对于P型区的少子电子及N型区的少子空穴穿越接触面有加速作用,因此,随着内电场的增强,扩散运动变得越来越弱,漂移运动却变得越来越强,最终扩散运动和漂移运动达到平衡,耗尽层不再加宽,内电场也稳定下来,把此时存在于P型半导体材料和N型半导体材料接触面之间的这样一种结构就称为PN结。它是接触面两侧多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡的结果。PN结的发现和应用对电子技术的发展起到了巨大的、基础的作用,如果没有PN结,很难想象现在的科技发展会是一番什么样的状况!1.2.2PN结的导电性能给PN结的两侧施加不同电压,研究PN结在不同电压条件下的导电性能,并定义流过PN结的电流与PN结两侧所加电压的关系为PN结的伏安特性。根据所加电压方向的不同,PN结的伏安特性又分正向伏安特性和反向伏安特性。1.正向伏安特性给PN结外加直流电压,P型区接电源的正极,N型区接电源的负极,此时称PN结加正向电压或PN结正偏,如图1-8所示。这里取流入P型区的电流I的方向为电流的参考正方向,规定PN结上电压U的参考方向为P型区为正,N型区为负。由于外加电源的接入,P型区注入了大量的正电荷,N型区注入了大量的电子,并且由于外加直流电压UE的存在,在PN结的耗尽层的两侧建立起一个外加的电场E,,该电场与PN结的内电场E方向相反,因此内电场E必然受到外加电场E,的削弱,E的削弱则有利于PN结两侧多子的·5·模拟电子技术…》扩散,因此扩散运动加强,耗尽层被压缩变窄。当外加直流电压幅值足够高时,两侧的多子的扩散运动足够强,耗尽层被压缩到完全消失,PN结呈现导通的状态。耗尽层P型被压缩N型3oa白ococoo00ooogI/mA日日日日:⊙①①©①①25内电场E20一外电场E11510R00.20.40.60.81.0UW图1-8PN结正偏图1-9PN结正向伏安特性图1-9为硅材料PN结加正偏电压时的伏安特性示意图,从图可以看出,当外加电压幅值比较低时,PN结的导通电流几乎为零(其实此时的电流是有的,只是电流非常微弱,忽略掉了),但是随着外加电压的增加,PN结的导通电流开始出现,并且,在此之后随着外加直流电压的增大电流急剧上升。把PN结电流近似为零的区域称为死区。PN结的正偏导通电流随外加正偏电压的变化现象与PN结内部微观结构在正偏电压作用下的变化是一致的。当正偏电压幅值较小时,PN结的耗尽层只是被压缩变薄,PN结两侧多子的扩散仍然受到内电场的阻碍,电流很小;当外加正偏电压增加到一定幅值,耗尽层几乎被压缩消失,此时扩散电流出现并上升,之后随着外电压的增大而增大;当正偏电压足够强,内部的耗尽层及内电场完全被瓦解,此时PN结两侧完全导通,外电压的增加全部转化为回路电流的增加,电流上升显著。在图1一8所示的测试电路情况下,如果在PN结导通后显著地调高外加电压U:的幅值,PN结两端的电压U并不会显著上升,而是近似为一个常数,对于硅材料PN结,该电压约为O.6~0.7V,此时,电源电压主要消耗在回路串联电阻R上。如果没有串联电阻R,给PN结直接施加较高的电压,PN结将产生很大的电流,长时间工作必然造成PN结的损坏。2.反向伏安特性和正偏电压的方向相反,P型区接直流电源的负极,N型区接直流电源正极,称PN结外加反向电压或PN结反偏。图1-10所示为PN结耗尽层反偏伏安特性测试电路。在此,仍规定流入PN结PP型被拉宽N型型区的电流方向为电流的正方向,PN结上电压的参880⊙⊙9⊕eo'oOO⊙日⊙④⊕⊕⊕④考方向仍取P型区为正,N型区为负。可以看出,此白8白日a⑧⑧®e8时外加直流电压在PN结两侧产生一个外电场E,,该日O⊙⊙⊙①①①o外电场的方向与PN结本身内电场E的方向一致,因内电场E此相当于内电场E增强,耗尽层变宽,多子的扩散运外电场E动被进一步抑制。由于PN结两侧等效的电场增强,有利于PN结两侧少子的漂移运动,因此反偏状态下R的PN结会有从N型区到P型区的漂移电流,但是由。6图1-10PN结反偏···试读结束···...

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